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产品展示

Q2L C 级 SLIC

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Q2L C 级 SLIC 技术: SIDACtor 设备 Q2L C 级 SLIC 系列 - QFN SIDACtor® 装置 Q2L SIDACtor SLIC 系列能够在低外型芯片级封装 (CSP) 中提供单向瞬变电压保护。小尺寸封装 QFN (Quad Flatpak 无引线) 特别适用于每块板卡具有多条线路的密集电路板应用。可在更小的印刷电路板空间内容纳更多保护装置，因此高密度 SLIC 卡将从该 CSP 技术中受益。特性 . 符合 RoHS . 芯片级封装(CSP) 尺寸 . 具有以下各种 IPP 额定值： o 适用于 2x10μs GR 1089 波形的 500A 型号 o 适用于 5x310/10x700μs ITU/YDT 波形的 200A 型号 o 适用于 10x1000μs GR 1089 波形的 100A 型号 o 适用于 10x560µμs TIA-968-A 的 150A 型号 . 单向瞬变电压保护 . 占用面积小 (QFN) . Teccor 品牌 SIDACtor 技术保护解决方案符合以下标准： . YD/T 950 . YD/T 993 . YD/T 1082 . GR 1089 . IEC 61000-4-5 . ITU K.20/21 Basic/Level (基本/增强) . TIA-968-A
SL1021A

GDT

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系列: SL1021A 技术: 等离子气体保护器 (GDT) SL1021A 系列 - 三端子中等负荷等离子气体过压保护器 (GDT) SL1021A 系列在抑制 100 伏/μS - 1 千伏/μS 的快速瞬变 (很可能来自诱导雷电扰动) 时性能极佳。SL1021A 系列的电容值也极低 (通常为 1 皮法或更低)，它的优化内部几何结构在高频上提供低插入损失，因此是宽频带设备的理想保护器件。这些器件非常强健，能够转移 10,000A 脉冲而不会造成破坏。特性 .  对快速瞬变的出色响应能力。 .  超低电容。 .  通过 IEC 61000-4-5 定义的 10 KA 浪涌测试 .  通过 IEC 6100-4-5 定义的 20 KA 单脉冲浪涌测试 .  可用于热故障安全选件 (部件后添加了 'F' 后缀) .  符合 RoHS 要求应用 .  宽频带设备。 .  ADSL 设备。 .  XDSL 设备。 .  卫星和有线电视设备。通用电信设备。
SL1122

GDT

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系列: SL1122 技术: 等离子气体保护器 (GDT) SL1122 系列 - 三端混合等离子过压保护器 (GDT) SL1122 系列混合等离子过压保护器的独特之处是采用了高性能 Alpha 等离子管和高速硅雪崩二极管 (SAD)。这两种器件协同作用：最初由 SAD 对高速脉冲起钳位作用，之后，随着电流的增大，瞬变能量将通过离子管切换。混合等离子过压保护器在抑制 100 伏/μS - 10 千伏/μS 的快速瞬变时性能极佳，这就消除了标准 GDT 产生的 dv/dt 切换延迟。这些器件非常强健，能够转移 10,000 安培脉冲而不会造成破坏，因此，它们是保护中心局 (电话交换机)设备的理想之选。特性 . 对快速瞬变的出色响应能力。 . 高达 10 千伏/μS 的平坦响应 . 通过 IEC 61000-4-5 定义的 10 KA 浪涌测试 . SAD 在出现严重瞬变超载时可确保进入短路故障模式 . 热故障安全应用 . MDF 保护 . 警报面板 . ADSL 设备 . XDSL 设备 . 通用电信设备
HV

GDT

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系列: HV 技术: 等离子气体保护器 (GDT) HV 系列 - 气体放电管 (GDTs) 特性 . 符合 RoHS . 两终端配置 . 特高隔离高达指定切换电压。 . 切换性能几乎不会受到环境温度变化的任何影响。 . UL 1414 Y2 类额定。经过 E56529 文件号认证。 . 防潮按 MIL-STD-202 方法 106 (90-98%RH, 65C) 应用 . 保护高电压电路。在机箱和接地之间起隔离作用。
QUADRAC

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: Quadrac 技术: QUADRAC 设备 Teccor® Quadrac 器件 Teccor 品牌的 Quadrac 器件是三端双向可控硅开关组件，其中包括安装于同一个封装内的二端交流开关组件触发器。该器件由 Littelfuse 开发，与购买分布式二端交流开关组件并将其与门控三端双向可控硅开关组件装配在一起相比，用户所需的费用更少，装配时间更短。另外，交变 (双向) 可控硅 Quadrac 器件 (QxxxxLTH) 省却了对缓冲器网络的使用需求。 Quadrac 器件是双向交流开关，并对主终端电压的正极或负极实行门控。它的主要用途是在以下应用领域进行交流切换和相位控制：速度控制、温度调节控制以及需要抗扰的照明控制。三端双向可控硅开关组件的电流范围为 4 安培到 15 安培，电压范围从 200 伏到 600 伏。Quadrac 器件采用 TO-220 封装。 TO-220 封装从引线到安装表面具有 2500 伏 rms 的电气隔离。若要购买 4000 伏 rms，请用特殊订单。这意味着不需要任何外部隔离，因此不必使用单独的绝缘体和执行绝缘体安装步骤，从而节省了“hot tab”器件的费用。所有 Teccor 三端双向可控硅开关组件和二端交流开关组件芯片都有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和参数稳定性。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。
SCR

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: SCR 技术: SCR Teccor® SCR 器件 Littelfuse Teccor 品牌可控硅 SCR 半导体产品线是半波单向门控制的整流器，它可作为 Teccor 品牌敏感可控硅整流器的补充。Littelfuse 可以为设备提供 1 安培到 70 安培的额定电流，以及 200 伏到 1000 伏的电压，门控敏感度为 10 毫安到 50 毫安。如果需要门电流在 12μA 到 500μA 范围内，请单件电源可控硅数据簿的中的“敏感 SCR”部分。这些封装方式是在隔离结构下提供的，在这种结构下它们的盒或拉环已在内部隔离，这样就能使用低成本的组装和方便的包装技术。 Teccor 的硅控整流器系列带有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和参数稳定性。玻璃提供了一道坚固、可靠的屏障，可防止芯片结污染。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25 °C。 . 用于 TO-92 器件的工作温度范围 (Tj) 为 -65°C 到 +125°C，用于所有其它封装方式的温度为 -40°C 到 +125°C。 . TO-92 器件的存储温度范围 (Ts) 为 -65 °C 到 +150 °C，TO-202 和 TO-220 器件的存储温度范围为 -40 °C 到 +150 °C，所有其它系列的存储温度范围为 -40 °C 到 +125 °C。铅焊料最高温度为 230 °C ，最长持续 10 秒；从外壳算起 >=1/16 英寸 (1.59 毫米)。
敏感硅控整流器

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: 敏感硅控整流器技术: SCR Teccor® 敏感硅控整流器器件 Teccor 品牌的敏感硅控整流器半导体是半波单向、门控整流器 (硅控整流器/半导体闸流体器)，它是对 Teccor 电源硅控整流器的补充。该组封装的电流额定值为 0.8 安培到 10 安培，电压额定值为 200 伏到 600 伏，门敏感度为 12μA 到 500μA。对于 10mA 到 50 mA 的门电流，请参见本目录的“硅控整流器”部分。 TO-220 和 TO-92 是电气隔离器件，它们的盒或拉环已在内部隔离，这样就能使用低成本的组装和方便的包装技术。 Teccor 的硅控整流器系列带有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和参数稳定性。玻璃提供了一道坚固、可靠的屏障，可防止芯片结受污染。 TO-92 封装已预装在带卷上。请与厂家联系，以了解更多信息。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 与所有 JEDEC 注册数据一致的 2N5064 器件。 . 外壳引线温度 (Tc 或 Tl) 的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。 . 除非另有说明，所有测量 (Igt 除外) 都采用了外部电阻器 Rgk = 1 k 奥姆。 . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . EC 系列器件的工作温度 (Tj) 为 -65°C 到 +110°C，2N 系列器件的工作温度为 -65°C 到 +125°C，“TCR”系列的工作温度为 -40°C 到 +125°C，所有其它系列的工作温度为 -40°C 到 +110°C。 . TO-92 器件的存储温度范围 (Ts) 为 -65°C 到 +150°C，TO-202 和 Compak 器件的存储温度范围为 -40°C 到 +150°C，所有其它系列的存储温度范围为 -40°C 到 +125°C。 . 铅焊料最高温度为 +230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起最大 >=1/16" (1.59 毫米)。
SIDAC

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: SIDAC 技术: Sidac Teccor® SIDAC 器件 Teccor 品牌的 sidac 是硅双边电压触发开发，它比标准 diac 的功率处理能力强。如果应用的电压超过崩溃电压点，sidac 开关将打开，它通过负电阻区到达低开状态电压。将继续导电，直到电流被中断或低于器件的最低维持电流。 Teccor sidac 器件特有的玻钝芯片结通过创建坚固、可靠的屏障来防止芯片结污染，从而确保长期的可靠性和稳定特性。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60 Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . 存储温度范围 (Ts) 为 -65°C 到 +150°C。 . 外壳 (Tc) 或引线 (Tl) 温度的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。 . 芯片结温度范围 (Tj) 为 -40°C 到 +125°C。 . 引线焊料温度最大为 +230°C，最长持续 10s；从外壳算起
整流器

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: 整流器技术: 整流器 Teccor® 硅镇流器器件 Littelfuse 制造电流为 15A rms 到 25A rms，电压额定值为 200 伏到 1000 伏的整流器。这些整流器采用电气隔离的 TO-220 封装，它们可以在只使用一类部件的公共阳极或公共阴极电路中使用，从而简化了库存需求。 Teccor 品牌的硅整流器配有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和稳定性。此外，玻璃提供了一道坚固、可靠的屏障，可防止芯片结受污染。注意： . 工作温度范围 (Tj) 为 -40°C 到 +125°C。 . 存储温度范围 (TS) 为 -40°C 到 +125°C。 . 铅焊料最高温度为 230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起最短为 1/16" (1.59 毫米)。 . 外壳温度 (Tc) 的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。 . Teccor 的电气隔离 TO-220 器件在工作温度范围内耐受了高电压测试，从引线到安装片的电压高达 2500 伏交流 rms。 . 典型的逆向恢复时间 (trr) 为 4 μs。 (测试条件 = 0.9 安培正向电流，1.5 安培逆向电流。)
敏感硅控三端闸流体

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: 敏感硅控三端闸流体技术: 三端双向可控硅开关组件 Teccor® 敏感硅控三端闸流体器件 Teccor 敏感硅控三端闸流体包括带有最高 8 安培电流能力的装置。适用电压范围为 200 伏到 600 伏。该线路的特点是设备除了对可以控制常用的 Quadrants I 和 III 之外，还可以对 II 和 IV 进行保障控制。四相限控制器件需要敏感门控制可控硅。可以通过数字电路控制这些装置，在数字电路中仅为正极或仅为负极脉冲必须控制在两个方向上通过装置的交流电流。注意在 Quadrants II 和 IV 中具有低 IGT 值的三端双向可控硅开关组件具有更低的 dv/dt 特性。敏感门控制可控硅是一个双向交流开关，并对主终端电压的正极或负极实行门控。它主要用于交流切换和相位控制应用，其中包括电动机转速控制、温度调节控制以及照明控制等。环氧树脂 TO-92 和 TO-220 配置具有 Littelfuse 的电气隔离构造，在这种构造中，外壳或安装片与半导体芯片和引线附件在内部是隔离的。除了 TO-251 和表面安装 TO-252 (D-Pak) 以外，还可以提供非隔离环氧树脂 TO-202 封装。还可以提供“带卷”功能以及管式封装。所有 Teccor 三端双向可控硅开关组件都具有玻钝芯片结。玻化处理能够防止转移，并能够长期确保装置的可靠性和参数稳定性。本数据表中其它型号的器件可用于定制设计应用。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60 Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . 用于 TO-92 器件的工作温度范围 (Tj) 为 -65°C 到 +110°C，用于所有其它封装方式的温度为 -40°C 到 +110°C。 . TO-92 器件的存储温度范围 (Ts) 为 -65 °C 到 +150 °C，TO-202 器件的存储温度范围为 -40 °C 到 +150 °C，TO-220 器件的存储温度范围为 -40 °C 到 +125 °C。 . 铅焊料最高温度为 230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起最短为 1/16 英寸（1.59 毫米）。 . 外壳或引线温度（Tc 或 Tl）的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。
三端 (双向) 交变可控硅

功率可控硅,晶闸管保护器

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三端双向可控硅开关组件

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: 三端双向可控硅开关组件技术: 三端双向可控硅开关组件 Teccor® 三端双向可控硅开关组件器件 Littelfuse 生产的 Teccor 门可控硅是双向半导体广泛产品线的一部分。装置的电流额定值范围在 0.8 安培到 35 安培，电压从 200 伏到 1000 伏。三端双向可控硅开关组件可为施加电压的任何一极从关闭状态门触发为导通状态，并且设置为用于诸如转速和温度调节控制、照明控制和静态切换继电器等交流切换和相位控制应用。触发信号通常用于控制门和 MT1 之间。绝缘封装是通过内部结构实现的，将外壳与安装片与半导体实现电气隔离。该功能能够使低成本组装更为容易，并且可是实现更方便的封装方法。可以使用带卷功能。所有 Teccor 三端双向可控硅开关组件都配有玻钝芯片结，以确保长期的装置可靠性和参数稳定性。玻钝芯片结提供了一道坚固、可靠的屏障，可防止芯片结受污染。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60 赫兹，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . 用于 TO-92 器件的工作温度范围 (Tj) 为 -65°C 到 +125°C，用于 Fastpak 的温度为 -25°C 到 +125°C，用于所有其它装置的温度为 -40°C 到 +125°C。 . TO-92 器件的存储温度范围 (Ts) 为 -65°C 到 +150°C，TO-202 的存储温度范围为 -40°C 到 +150°C，所有其它装置的温度范围为 -40°C 到 +125°C。 . 铅焊料最高温度为 230 °C ，最长持续 10 秒；从外壳算起 >=1/16 英寸 (1.59 毫米)。 . 外壳温度 (Tc) 的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。
二端交流开关组件

功率可控硅,晶闸管保护器

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系列: 二端交流开关组件技术: 二端交流开关组件 Teccor® 二端交流开关组件 Littelfuse Teccor 品牌的“HT”和“ST”系列双边触发器二端交流开关组件的切换电压为 27 伏到 70 伏。二端交流开关组件是全波或双向半导体闸流体器。每当应用电压的振幅超过二端交流开关组件的崩溃电压时，它将从闭锁切换到导电状态。 Teccor 二端交流开关组件特有的玻钝芯片结通过创建坚固、可靠的屏障来防止芯片结污染，从而确保长期的可靠性和稳定特性。这些二端交流开关组件规范适用于标准产品。另外也提供了一些特殊参数选项，如接近容差电压对称。有关定制设计应用的更多信息，请向厂家咨询。注意 . 厂家可以将这些产品的崩溃电压对称设为接近 1 伏。铅焊料温度为 +230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起 >=1/16" (1.59 毫米)。
BXXX0C_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Bxxx0c_ 技术: Battrax SLIC 保护器 Battrax® 用户线路界面电路保护器这是固态保护器件，它可以参考正电压源或负电压源。B1xx0C_ 用于 -Vref，B2050C_ 用于 +Vref。B1xx0C_ Battrax® 是使用硅控整流器和闸 (门) 二极管设计的，它从 |-Vref| + |-1.2 伏| 开始传导，而 B2050C_ Battrax® 从 |+Vref| + |1.2 伏| 开始传导。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . IPP 额定值假设 VREF = ±48 伏。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。“CC”产品的电容值大约为列出值的 2 倍。 . 正 Battrax 信息是初步数据。 . 负 Battrax 的 VREF 最大值是 -200 伏。 . 负 Battrax 的 VREF 最大值是 110 伏。
BXXX1U_4

半导体闸流式浪涌保护器

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BXXX1U_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Bxxx1u_ 技术: Battrax SLIC 保护器 Battrax® 双负用户线路界面电路保护器该固态 Battrax® 保护器件参考负电压源。它的双芯片封装内还有内部二极管，其作用是在发生正电涌事件时进行瞬变保护。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . Ipp 额定值假设 Vref = -48 伏。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 关闭状态电容值是在频率为 1MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。 . 负 Battrax® 的 Vref 最大值是 -200 伏。
BXXX4U_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Bxxx4u_ 技术: Battrax SLIC 保护器 Battrax® 双正/负用户线路界面电路保护器该 Battrax® 器件保护使用正负环电压的用户线路界面电路。它对上升时间为 100 伏/μs 到 Vref ±10 伏的瞬变电压进行限制。 Littelfuse 的六引线 Battrax® 器件是使用四个硅控整流器和四个闸 (门) 二极管构造的。当硅控整流器的阴极 (引线 1 和 3) 应用的电压低于 -Vref (和/或高于 +Vref) 时，硅控整流器导电。在导电期间，硅控整流器充当低电阻路径，强制所有瞬变短路接地。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . IPP 额定值假设 VREF = ±48 伏。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 关闭状态电容值是在频率为 1MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。“UC”产品的电容值大约为列出值的 2 倍 . 正 Battrax 信息是初步数据。 . 负 Battrax 的 VREF 最大值是 -200 伏。 . 正 Battrax 的 VREF 最大值是 110 伏。
PXXX2C_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: pxxx2c_ 技术: SIDACtor 设备 Compak (改装的 DO-214AA) 两芯片 SIDACTor® 器件改装的 DO-214AA SIDACtor® 器件提供低成本的纵向保护。 SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (VS 和 VDRM) 和维持电流 (IH) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时，在针脚 1-3 之间测量得到的。 . 必须考虑 UL 60950 漏电要求。
PXXX0SD

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系列: pxxx0sd 技术: SIDACtor 设备 DO-214AA 高电涌电流 (D-额定值) SIDACtor® 器件一般说明电涌额定值为 D 的 Littelfuse DO-214AA SIDACtor 固态保护器件保护电信设备，例如，调制解调器、线路卡、传真机及其它 CPE 客户端设备。这些 SIDACtor 器件可以耐受 GR1089 雷电测试中同时出现的电涌。 (请参见第 4-5 页的“一级雷电电涌测试”。)与电涌额定值为 C 的器件相比，它的电涌额定值要多一倍。这样就可使用 Littelfuse 已申请专利的“Y”配置的分布式表面安装版本。 (美国专利 4,905,119) SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。
PXXX0SCMC

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Pxxx0SCMC 技术: SIDACtor 设备 DO-214AA SC 微型电容 (MC) SIDACtor® 器件 DO-214AA SC MC SIDACtor 系列适用于对负荷值敏感的应用领域。通常，高速连接需要较低的电容值。微型电容器件的 CO 内电容值比标准 SC 部件的 CO 内电容值低 40%。该 MC SIDACtor 系列用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、IEC 60950、UL 60950 和 TIA-968 (以前称为 FCC Part 68)。有关 ITU K.20、K.21 和 K.45 的信息，请与工厂联系。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的。
PXXX0S_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: pxxx0s_ 技术: SIDACtor 设备 DO-214AA SIDACtor® 器件 Littelfuse DO-214AA SIDACtor 固态保护器件保护电信设备，例如，调制解调器、线路卡、传真机及其它 CPE 客户端设备。 SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意：所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 Vs 是在 100 伏/μs 上测得的。特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。
PXXX0SAMC

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: Pxxx0SAMC 技术: SIDACtor 设备 DO-214AA 微电容 (MC) SA SIDACtor® 设备 Littelfuse DO-214AA SA MC SIDACtor 系列适用于对负荷值敏感的应用领域。通常，高速连接需要较低的电容值。微型电容器件的 CO 内电容值比标准 SA 部件的 CO 内电容值低 40%。这一 MC SIDACtor 系列用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968（以前称为 FCC Part 68）。注意： . 所有测量的环境温度均为 25 °C。Ipp 适用于 -40 °C 到 +85 °C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压（Vs 和 Vdrm）和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的。
SMT100

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: SMT100 技术: SIDACtor 设备 SMT100 系列 - 用于保护电信设备的 SiBOD® 可控硅保护器
SMT50

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: SMT50 技术: SIDACtor 设备 SMT50 系列 - 用于保护电信设备的 SiBOD® 可控硅保护器
SMTBJ

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: SMTBJ 技术: SIDACtor 设备 SMTBJ 系列 - 用于保护电信设备的 SIDACtor® 可控硅保护器
PXXX2S_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: pxxx2s_ 技术: SIDACtor 设备 DO-214AA 宽带 Optimized™ SIDACtor® 设备 DO-214AA 宽带 Optimized™ SIDACtor® 设备适用于对负荷值敏感的应用领域。通常，高速连接需要较低的电容值。CO 内电容值比标准器件的 CO 内电容值低 40%。 SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950, 以及 TIA-968-A (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25 °C。IPP 适用于 -40 °C 到 +85 °C 的温度范围。 . IPP 是重复性浪涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和逆向极性。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压（VS 和 VDRM）和维持电流 (IH) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容是在带有 2 伏电压偏置的 1 兆赫电流下测得的。
T10A

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: T10A 技术: SIDACtor 设备 T10A 系列 - 用于保护电信设备的 SIDACtor® 可控硅保护器
T10B

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: T10B 技术: SIDACtor 设备 T10B 系列 - 用于保护电信设备的 SIDACtor® 可控硅保护器
T10C

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: T10C 技术: SIDACtor 设备 T10C 系列 - 用于保护电信设备 (具有故障安全功能) 的 SIDACtor®可控硅保护器
PXX00S_

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: pxx00s_ 技术: SIDACtor 设备 LCAS 不对称分散式 SIDACtor® 器件这些 DO-214AA SIDACtor 器件适用于 LCAS (线电路检修开关)，LCAS 需要在分布式 (独立) 封装中提供不对称保护。它们使受保护的设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21、K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。
AXXXXU_4

半导体闸流式浪涌保护器

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CR

半导体闸流式浪涌保护器

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系列: CR 技术: SIDACtor 设备 CR 系列 - 用于保护电信设备的 SiBOD™ 可控硅保护器

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