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SL1021A

GDT Gas Discharge Tube

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系列: SL1021A 技术: 等离子气体保护器 (GDT) SL1021A 系列 - 三端子中等负荷等离子气体过压保护器 (GDT) SL1021A 系列在抑制 100 伏/μS - 1 千伏/μS 的快速瞬变 (很可能来自诱导雷电扰动) 时性能极佳。SL1021A 系列的电容值也极低 (通常为 1 皮法或更低)，它的优化内部几何结构在高频上提供低插入损失，因此是宽频带设备的理想保护器件。这些器件非常强健，能够转移 10,000A 脉冲而不会造成破坏。特性 .  对快速瞬变的出色响应能力。 .  超低电容。 .  通过 IEC 61000-4-5 定义的 10 KA 浪涌测试 .  通过 IEC 6100-4-5 定义的 20 KA 单脉冲浪涌测试 .  可用于热故障安全选件 (部件后添加了 'F' 后缀) .  符合 RoHS 要求应用 .  宽频带设备。 .  ADSL 设备。 .  XDSL 设备。 .  卫星和有线电视设备。通用电信设备。
SL1122

GDT Gas Discharge Tube

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系列: SL1122 技术: 等离子气体保护器 (GDT) SL1122 系列 - 三端混合等离子过压保护器 (GDT) SL1122 系列混合等离子过压保护器的独特之处是采用了高性能 Alpha 等离子管和高速硅雪崩二极管 (SAD)。这两种器件协同作用：最初由 SAD 对高速脉冲起钳位作用，之后，随着电流的增大，瞬变能量将通过离子管切换。混合等离子过压保护器在抑制 100 伏/μS - 10 千伏/μS 的快速瞬变时性能极佳，这就消除了标准 GDT 产生的 dv/dt 切换延迟。这些器件非常强健，能够转移 10,000 安培脉冲而不会造成破坏，因此，它们是保护中心局 (电话交换机)设备的理想之选。特性 . 对快速瞬变的出色响应能力。 . 高达 10 千伏/μS 的平坦响应 . 通过 IEC 61000-4-5 定义的 10 KA 浪涌测试 . SAD 在出现严重瞬变超载时可确保进入短路故障模式 . 热故障安全应用 . MDF 保护 . 警报面板 . ADSL 设备 . XDSL 设备 . 通用电信设备
QUADRAC

功率可控硅，晶闸管保护器 Power SCR & Thyristor Protector

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系列: Quadrac 技术: QUADRAC 设备 Teccor® Quadrac 器件 Teccor 品牌的 Quadrac 器件是三端双向可控硅开关组件，其中包括安装于同一个封装内的二端交流开关组件触发器。该器件由 Littelfuse 开发，与购买分布式二端交流开关组件并将其与门控三端双向可控硅开关组件装配在一起相比，用户所需的费用更少，装配时间更短。另外，交变 (双向) 可控硅 Quadrac 器件 (QxxxxLTH) 省却了对缓冲器网络的使用需求。 Quadrac 器件是双向交流开关，并对主终端电压的正极或负极实行门控。它的主要用途是在以下应用领域进行交流切换和相位控制：速度控制、温度调节控制以及需要抗扰的照明控制。三端双向可控硅开关组件的电流范围为 4 安培到 15 安培，电压范围从 200 伏到 600 伏。Quadrac 器件采用 TO-220 封装。 TO-220 封装从引线到安装表面具有 2500 伏 rms 的电气隔离。若要购买 4000 伏 rms，请用特殊订单。这意味着不需要任何外部隔离，因此不必使用单独的绝缘体和执行绝缘体安装步骤，从而节省了“hot tab”器件的费用。所有 Teccor 三端双向可控硅开关组件和二端交流开关组件芯片都有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和参数稳定性。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。
SIDAC

功率可控硅，晶闸管保护器 Power SCR & Thyristor Protector

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系列: SIDAC 技术: Sidac Teccor® SIDAC 器件 Teccor 品牌的 sidac 是硅双边电压触发开发，它比标准 diac 的功率处理能力强。如果应用的电压超过崩溃电压点，sidac 开关将打开，它通过负电阻区到达低开状态电压。将继续导电，直到电流被中断或低于器件的最低维持电流。 Teccor sidac 器件特有的玻钝芯片结通过创建坚固、可靠的屏障来防止芯片结污染，从而确保长期的可靠性和稳定特性。我们可以为定制设计应用提供该数据表中各器件的其它型号。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60 Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . 存储温度范围 (Ts) 为 -65°C 到 +150°C。 . 外壳 (Tc) 或引线 (Tl) 温度的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。 . 芯片结温度范围 (Tj) 为 -40°C 到 +125°C。 . 引线焊料温度最大为 +230°C，最长持续 10s；从外壳算起
整流器

功率可控硅，晶闸管保护器 Power SCR & Thyristor Protector

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系列: 整流器技术: 整流器 Teccor® 硅镇流器器件 Littelfuse 制造电流为 15A rms 到 25A rms，电压额定值为 200 伏到 1000 伏的整流器。这些整流器采用电气隔离的 TO-220 封装，它们可以在只使用一类部件的公共阳极或公共阴极电路中使用，从而简化了库存需求。 Teccor 品牌的硅整流器配有玻钝芯片结，以确保长期的可靠性和稳定性。此外，玻璃提供了一道坚固、可靠的屏障，可防止芯片结受污染。注意： . 工作温度范围 (Tj) 为 -40°C 到 +125°C。 . 存储温度范围 (TS) 为 -40°C 到 +125°C。 . 铅焊料最高温度为 230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起最短为 1/16" (1.59 毫米)。 . 外壳温度 (Tc) 的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。 . Teccor 的电气隔离 TO-220 器件在工作温度范围内耐受了高电压测试，从引线到安装片的电压高达 2500 伏交流 rms。 . 典型的逆向恢复时间 (trr) 为 4 μs。 (测试条件 = 0.9 安培正向电流，1.5 安培逆向电流。)
敏感硅控三端闸流体

功率可控硅，晶闸管保护器 Power SCR & Thyristor Protector

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系列: 敏感硅控三端闸流体技术: 三端双向可控硅开关组件 Teccor® 敏感硅控三端闸流体器件 Teccor 敏感硅控三端闸流体包括带有最高 8 安培电流能力的装置。适用电压范围为 200 伏到 600 伏。该线路的特点是设备除了对可以控制常用的 Quadrants I 和 III 之外，还可以对 II 和 IV 进行保障控制。四相限控制器件需要敏感门控制可控硅。可以通过数字电路控制这些装置，在数字电路中仅为正极或仅为负极脉冲必须控制在两个方向上通过装置的交流电流。注意在 Quadrants II 和 IV 中具有低 IGT 值的三端双向可控硅开关组件具有更低的 dv/dt 特性。敏感门控制可控硅是一个双向交流开关，并对主终端电压的正极或负极实行门控。它主要用于交流切换和相位控制应用，其中包括电动机转速控制、温度调节控制以及照明控制等。环氧树脂 TO-92 和 TO-220 配置具有 Littelfuse 的电气隔离构造，在这种构造中，外壳或安装片与半导体芯片和引线附件在内部是隔离的。除了 TO-251 和表面安装 TO-252 (D-Pak) 以外，还可以提供非隔离环氧树脂 TO-202 封装。还可以提供“带卷”功能以及管式封装。所有 Teccor 三端双向可控硅开关组件都具有玻钝芯片结。玻化处理能够防止转移，并能够长期确保装置的可靠性和参数稳定性。本数据表中其它型号的器件可用于定制设计应用。请与厂家联系，以了解更多信息。注意： . 除非另有说明，所有测量的频率均为 60 Hz，并且带有电阻性负荷，环境温度均为 +25°C。 . 用于 TO-92 器件的工作温度范围 (Tj) 为 -65°C 到 +110°C，用于所有其它封装方式的温度为 -40°C 到 +110°C。 . TO-92 器件的存储温度范围 (Ts) 为 -65 °C 到 +150 °C，TO-202 器件的存储温度范围为 -40 °C 到 +150 °C，TO-220 器件的存储温度范围为 -40 °C 到 +125 °C。 . 铅焊料最高温度为 230°C，最长持续 10 秒；从外壳算起最短为 1/16 英寸（1.59 毫米）。 . 外壳或引线温度（Tc 或 Tl）的测量方式如外观图纸中所示。请参见封装尺寸。
三端 (双向) 交变可控硅

功率可控硅，晶闸管保护器 Power SCR & Thyristor Protector

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BXXX4U_

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: Bxxx4u_ 技术: Battrax SLIC 保护器 Battrax® 双正/负用户线路界面电路保护器该 Battrax® 器件保护使用正负环电压的用户线路界面电路。它对上升时间为 100 伏/μs 到 Vref ±10 伏的瞬变电压进行限制。 Littelfuse 的六引线 Battrax® 器件是使用四个硅控整流器和四个闸 (门) 二极管构造的。当硅控整流器的阴极 (引线 1 和 3) 应用的电压低于 -Vref (和/或高于 +Vref) 时，硅控整流器导电。在导电期间，硅控整流器充当低电阻路径，强制所有瞬变短路接地。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . IPP 额定值假设 VREF = ±48 伏。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 关闭状态电容值是在频率为 1MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。“UC”产品的电容值大约为列出值的 2 倍 . 正 Battrax 信息是初步数据。 . 负 Battrax 的 VREF 最大值是 -200 伏。 . 正 Battrax 的 VREF 最大值是 110 伏。
SMT100

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: SMT100 技术: SIDACtor 设备 SMT100 系列 - 用于保护电信设备的 SiBOD® 可控硅保护器
SMT50

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: SMT50 技术: SIDACtor 设备 SMT50 系列 - 用于保护电信设备的 SiBOD® 可控硅保护器
T10A

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: T10A 技术: SIDACtor 设备 T10A 系列 - 用于保护电信设备的 SIDACtor® 可控硅保护器
T10C

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: T10C 技术: SIDACtor 设备 T10C 系列 - 用于保护电信设备 (具有故障安全功能) 的 SIDACtor®可控硅保护器
PXX00S_

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: pxx00s_ 技术: SIDACtor 设备 LCAS 不对称分散式 SIDACtor® 器件这些 DO-214AA SIDACtor 器件适用于 LCAS (线电路检修开关)，LCAS 需要在分布式 (独立) 封装中提供不对称保护。它们使受保护的设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21、K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。
PXXX1S_

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: pxxx1s_ 技术: SIDACtor 设备 SIDACtor® 固定电压用户线路界面电路保护这些 DO-214AA 单向保护器是使用 SIDACtor® 器件和集成二极管构造的。它们对 SLIC (用户线路界面电路) 进行瞬变电压保护，并使线路卡符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21、K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。Ipp 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . Ipp 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . Vdrm 是在 Idrm 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (Vs 和 Vdrm) 和维持电流 (Ih) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时测量得到的，它是一个典型值。 . 并行电容性负载可能影响电气参数。
PXXX6U_

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: pxxx6u_ 技术: SIDACtor 设备多埠平衡 SIDACtor® 器件该多埠平衡保护器是改装的 TO-220 封装的表面安装替代器件。它基于六引线表面安装 SOIC 封装，使用 Littelfuse 已申请专利的“Y” (美国专利 4,905,119) 配置。它的最大电涌电流额定值为 500 安培。 SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，保证始终达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上测得的。 . 特殊电压 (VS 和 VDRM) 和维持电流 (IH) 需求将视用户的具体要求来解决。 . 关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时，在针脚 1-2 与 3-2 之间测量得到的，它是“UA”产品的一个典型值。“UB” 和“UC”电容值大约高 10 皮法。 . 器件是为满足 GTS 8700 和 GR 974 的平衡要求而设计的。
PXXX0AA61

半导体闸流式浪涌保护器 Thyristor Surge Protector

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系列: Pxxx0AA61 技术: SIDACtor 设备改装的 TO-220 SIDACtor® 器件改装的两芯片 TO-220 SIDACtor® 固态器件为参考 Tip 和 Ring 到地线但不需要平衡保护的应用中的电信设备提供保护。 SIDACtor 器件用于使设备符合各种安全规范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前称为 FCC Part 68)。注意： . 所有测量的环境温度均为 25°C。IPP 适用于 -40°C 到 +85°C 的温度范围。 . IPP 是重复性电涌额定值，在产品的整个使用寿命范围内，都应保证达到该额定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是双向的。所有电气参数和电涌额定值适用于正向和逆向极性。 . VDRM 是在 IDRM 上测得的。 . VS 是在 100 伏/毫秒上测得的。 . 特殊电压 (VS 和 VDRM) 和维持电流 (IH) 需求将视用户的具体要求来解决。关闭状态电容值是在频率为 1 MHz，偏置电压为 2 伏时，在针脚 1-2 与 3-2 之间测量得到的，它是“AA”产品的一个典型值。“AB” 和“AC”电容值约为 2x 列出的值。
3425L

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: 3425L 技术: 可恢复 PPTC 3425L PTC 系列 - 表面安装聚合物 PTC . 3425L PTC 系列可复位器件利用基于聚合物的有效温度系数 (PTC) 材料为电路提供超载电流保护。 . 在正常运行中，3425L PTC 系列 PTC 有很多导电路径，并且电阻极低。在出现超载电流的情况下，聚合物材料的温度升高。这样就会极大地减少导电路径，从而导致电阻值立即增大。在此情况下，该器件通过大力限制电流流量来保护电路。不过，一旦初始超载电流的根源被清除，3425L PTC 系列 PTC 就会降温并重置为低电阻值，允许恢复正常的电流流量。 . 3425L PTC 系列是表面安装器件。
250R

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: 250R 技术: 可恢复 PPTC 250R 系列 - 适用于电信设备保护的 250 伏 POLYFUSE® 无铅径向引线式可恢复 PPTC 250R 系列设计为能够保护通常发生在电信应用 (250Vrms) 中的短时高电压故障电流 (电流交叉或电流感应浪涌)。可以使用此系列帮助电信网络设备符合 ITU K.20 和 K.21 规定的要求。特性 . 符合 RoHS 和无铅规范 . 快速跳闸时间 . 阻值拣选/分档低电阻范围 . 0.08 - 0.18 安培维持电流，60 伏直流工作电压 . 250 伏交流中断额定值
RLD30

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: RLD30 技术: 可恢复 PPTC RLD30 系列 - 径向引线式聚合物 PTC 30 伏这一 30 伏产品线可以用于几乎所有低压电源（低于 30 伏直流）和需要提供保护的负荷，其中包括： . 通用电气 . 计算机及外围设备 . 汽车电气
RLD60

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: RLD60 技术: 可恢复 PPTC RLD60 系列 - 径向引线式聚合物 PTC 60 伏
0805L010 - 0805L系列

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: SMD0805 技术: 可恢复 PPTC SMD0805 系列 - 表面安装 SMD 聚合物 PTC 6 伏 / 9 伏 /15 伏 SMD0805 产品线特别适用于计算机、移动电话和通用电气等高密度电路板应用。适用于回流焊接。
1206L012 - 1206L系列

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: SMD1206 技术: 可恢复 PPTC SMD1206 系列 - 表面安装 SMD 聚合物 PTC 6 伏 - 30 伏此产品线能够安装于空间有限的应用中。这些设备能够提供从 0.125 安培到 1.50安培的宽范围维持电流和 6 伏至 30 伏的电压。SMD1206 产品线适用于计算机、移动电话和通用电气等高密度电路板应用。适用于回流焊接。
1210L005 - 1210L系列

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: SMD1210 技术: 可恢复 PPTC SMD1210 系列 - 表面安装 SMD 聚合物 PTC 6 伏 - 30 伏本产品线专门用于具有 50 毫安到 1.5 安培维持电流，6 伏到 30 伏电压的表面安装应用。这些体积更小 (1210 密尔) 的设备特别适用于掌上电脑、PDA 和空间有限且需要电路保护的应用。适用于回流焊接。
1812L014 - 1812L系列

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: SMD1812 技术: 可恢复 PPTC SMD1812 系列 - 表面安装 SMD 聚合物 PTC 6 伏 - 60 伏该产品线还可用于表面安装应用。该产品的厚度只有 1812 密尔，维持电流为 0.1 安培到 2.6 安培，电压为 6 伏到 60 伏。这些设备特别适用于 PC 主板、计算机外围产品和一般电子应用。适用于回流焊接。
2920L030 - 2920L系列

高分子聚合物静电保护器 Polymer ESD Protector

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系列: SMD2920 技术: 可恢复 PPTC SMD2920 系列 - 表面安装 SMD 聚合物 PTC 6 伏 - 60 伏这些设备能够提供从 0.3 安培到 3.0安培的宽范围维持电流和 6 伏至 60 伏的电压。SMD2920 产品线适用于计算机、通讯设备和通用电气等高密度电路板应用。适用于回流焊接。
TMOV

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: TMOV 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器） TMOV® 热保护压敏电阻系列 TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 系列 Littelfuse TMOV 和 iTOMV 热保护压敏电阻代表着集成电路保护领域的新发展。两种版本均由径向引线式 MOV (金属氧化物压敏电阻) 和集成式热激活组件组成，后者在因反常过压、限制电流、UL 1449 中所列情况而过热时会断开。 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 与 TMOV 压敏电阻不同，前者配有第三方引线，引线的作用是指示 MOV 已从电路中断开。该引线便于与监视电路的连接。 . 由于集成式热组件与 MOV 管体很近，因此 TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 可以提供快速热响应。 . 与大多数分布式解决方案相比，集成配置的电感更低，因此对于快速过压瞬变的钳位性能更佳。此外，TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 是可波焊的，这就减少了与手工焊接工序相关的费用和重复劳动，从而简化了最终产品的装配流程。 . TMOV 和 iTMOV 压敏电阻都是符合 UL 1449 的认可浪涌抑制组件。 . TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 的集成式热组件与相应的封装设计结合，可以帮助瞬变电压浪涌抑制器模块符合 UL 1449 对线缆连接设备和永久连接设备的要求。 . TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 与工业标准的波焊流程或推荐的手工焊接方法相容。
ITMOV

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: iTMOV 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器）带有指示引线的 iTMOV® 热保护压敏电阻系列 TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 系列 Littelfuse TMOV 和 iTOMV 热保护压敏电阻代表着集成电路保护领域的新发展。两种版本均由径向引线式 MOV (金属氧化物压敏电阻) 和集成式热激活组件组成，后者在因反常过压、限制电流、UL 1449 中所列情况而过热时会断开。 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 与 TMOV 压敏电阻不同，前者配有第三方引线，引线的作用是指示 MOV 已从电路中断开。该引线便于与监视电路的连接。由于集成式热组件与 MOV 管体很近，因此 TMOV 和 iTOMV 压敏电阻可以实现快速热响应。与大多数分布式解决方案相比，集成配置的电感更低，因此对于快速过压瞬变的钳位性能更佳。此外，TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 是可波焊的，这就减少了与手工焊接工序相关的费用和重复劳动，从而简化了最终产品的装配流程。 TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 都是符合 UL 1449 的认可浪涌抑制组件。TMOV 和 iTMOV 压敏电阻的集成热元件以及适合的外壳设计让瞬变电压浪涌抑制器模块符合用于电源缆线连接和永久连接应用的 UL 1449 标准。 TMOV 和 iTMOV 指示压敏电阻 (指示突波吸收器) 与工业标准的波焊流程或推荐的手工焊接方法相容。
CH

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: CH 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器） CH 表面安装压敏电阻系列 CH 系列瞬变电涌抑制器是无引线芯片式的小型、金属氧化物压敏电阻 (MOV)。它们可以作为多种设备中的保护器件，从低压直流到脱机电路板级的保护。这些器件比传统径向引线式压敏电阻矮很多，这样，设计人员就能减小所设计设备的尺寸和重量，增加可靠性。 . Ch 系列压敏电阻的电压范围为 14 伏到 275 伏 V M(交流)RMS，最大能量额定值为 23J。
BA

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: BA 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器） BA 系列 - 高能封装工业用压敏电阻 (突波吸收器) BA 和 BB 系列瞬变电涌抑制器是大功率工业用金属氧化物压敏电阻 (MOV)，它们专为油井钻探、采矿、运输设备及其它重型工业交流线路中的电动机控制部件和电源提供电涌保护。 . UL 认可的这些压敏电阻的封装结构相似，但大小和额定值各不相同。 . BA 型号的额定值为 130 到 880 伏 M(交流)。 BA 和 BB系列的爬行和冲击距离能力都有所提高，可以最大限度地减少封装表面被击穿的可能性。该封装设计既提供盘片部件的完整电气隔离，也提供可确保稳固接线的坚硬端子。第二次卸除“封装表面”。请参见 BA/BB 系列器件额定值和规格表，了解部件号和品牌信息。
BB

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: BB 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器） BB 系列 - 高能封装工业用压敏电阻 (突波吸收器) BA 和 BB 系列瞬变电涌抑制器是大功率工业用金属氧化物压敏电阻 (MOV)，它们专为油井钻探、采矿、运输设备及其它重型工业交流线路中的电动机控制部件和电源提供电涌保护。 . UL 认可的这些压敏电阻的封装结构相似，但大小和额定值各不相同。 . BA 型号的额定值为 130 到 880 伏 M(交流)。 BA 和 BB系列的爬行和冲击距离能力都有所提高，可以最大限度地减少封装表面被击穿的可能性。该封装设计既提供盘片部件的完整电气隔离，也提供可确保稳固接线的坚硬端子。第二次卸除“封装表面”。请参见 BA/BB 系列器件额定值和规格表，了解部件号和品牌信息。
CA

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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系列: CA 技术: 金属氧化物压敏电阻（突波吸收器） CA 系列 - 高能工业用裸片式压敏电阻 CA 系列瞬变电涌抑制器是工业高能量裸片式压敏电阻 (MOV)，适用于需要独特电气接触或客户提供封装方法的特殊设备。 . 这些器件的电极可焊接，也可与压力接点一起使用。 . 直径相同的裸片可以堆叠在一起。 . 该系列的工业用裸片式压敏电阻的直径共有三种：32 毫米、40 毫米和 60 毫米，裸片厚度从 1.8 毫米 (最薄) 到 32 毫米 (最厚) 不等。 . 它们的电压范围极广：从 130 到 2800 伏 M(交流)RMS。
DA

压敏电阻(突波吸收器) Varistor (Surge Absorber)

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