力特Littelfuse双向可控硅中电压

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相位控制中压晶闸管优化了电压高达 6.5 kV 、电流低于 4 kA 的电气系统中的直流开关。这些专门设计的固态开关可限制电压升高时的传导损耗。中压晶闸管还能确保关断时间不会随着电压的升高而增加。通过这种方式，晶闸管就能降低换向故障的风险。Littelfuse 中压晶闸管在串联使用时性能最佳。固态开关的应用包括 DC-DC 转换器、直流电机驱动器和电压放大（ VAR ）补偿器。

额定电流介于 3.2 kA 和 6.5 kA 之间
硅胶囊直径范围为 35 mm 到 96 mm
针对额定电压高达 6.5 kV 且额定电流低于 4 kA 的电气系统的串联运行进行了优化
线路频率低于 400 Hz 时实现的最大电源处理能力

获得专利的分布式栅极结构可确保在宽电压和电流范围内实现出色的开关性能
旨在实现传导损耗、关断时间和电源处理能力之间的最佳平衡
可并联使用
可预测的快速关断可防止换向故障

产品号	系列	类型	VDS/VCE (V)	ID/IC (A)	RDS(on)/VCE(sat)	开关损耗 (mJ)	工作温度 (°C)	封装
MV-IGBT-1200-10	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	10	1.8V	0.5	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1200-20	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	20	1.7V	0.8	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1200-30	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	30	1.6V	1.2	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1200-50	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	50	1.5V	1.8	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1200-75	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	75	1.4V	2.5	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1200-100	Medium Voltage IGBT	IGBT	1200	100	1.3V	3.2	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-10	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	10	2.0V	0.7	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-20	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	20	1.9V	1.1	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-30	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	30	1.8V	1.5	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-50	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	50	1.7V	2.2	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-75	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	75	1.6V	3.0	-40~175	TO-247
MV-IGBT-1700-100	Medium Voltage IGBT	IGBT	1700	100	1.5V	3.8	-40~175	TO-247
MV-IGBT-3300-10	Medium Voltage IGBT	IGBT	3300	10	2.5V	1.2	-40~175	IHM
MV-IGBT-3300-20	Medium Voltage IGBT	IGBT	3300	20	2.4V	1.8	-40~175	IHM
MV-IGBT-3300-30	Medium Voltage IGBT	IGBT	3300	30	2.3V	2.5	-40~175	IHM
MV-IGBT-3300-50	Medium Voltage IGBT	IGBT	3300	50	2.2V	3.5	-40~175	IHM
MV-MOS-600-10	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	10	0.45Ω	0.3	-40~175	TO-247
MV-MOS-600-20	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	20	0.28Ω	0.5	-40~175	TO-247
MV-MOS-600-30	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	30	0.18Ω	0.7	-40~175	TO-247
MV-MOS-600-50	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	50	0.12Ω	1.0	-40~175	TO-247
MV-MOS-600-75	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	75	0.08Ω	1.4	-40~175	TO-247
MV-MOS-600-100	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	600	100	0.05Ω	1.8	-40~175	TO-247
MV-MOS-800-10	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	800	10	0.55Ω	0.4	-40~175	TO-247
MV-MOS-800-20	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	800	20	0.35Ω	0.6	-40~175	TO-247
MV-MOS-800-30	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	800	30	0.22Ω	0.8	-40~175	TO-247
MV-MOS-800-50	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	800	50	0.15Ω	1.2	-40~175	TO-247
MV-MOS-1000-10	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	1000	10	0.75Ω	0.5	-40~175	TO-247
MV-MOS-1000-20	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	1000	20	0.48Ω	0.8	-40~175	TO-247
MV-MOS-1000-30	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	1000	30	0.30Ω	1.1	-40~175	TO-247
MV-MOS-1000-50	Medium Voltage MOSFET	MOSFET	1000	50	0.20Ω	1.5	-40~175	TO-247
MV-SiC-1200-10	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1200	10	0.08Ω	0.2	-40~175	TO-247
MV-SiC-1200-20	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1200	20	0.05Ω	0.3	-40~175	TO-247
MV-SiC-1200-30	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1200	30	0.035Ω	0.4	-40~175	TO-247
MV-SiC-1200-50	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1200	50	0.025Ω	0.6	-40~175	TO-247
MV-SiC-1700-10	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1700	10	0.12Ω	0.3	-40~175	TO-247
MV-SiC-1700-20	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1700	20	0.08Ω	0.5	-40~175	TO-247
MV-SiC-1700-30	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1700	30	0.055Ω	0.7	-40~175	TO-247
MV-SiC-1700-50	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	1700	50	0.04Ω	1.0	-40~175	TO-247
MV-SiC-3300-10	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	3300	10	0.25Ω	0.5	-40~175	IHM
MV-SiC-3300-20	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	3300	20	0.18Ω	0.8	-40~175	IHM
MV-SiC-3300-30	Medium Voltage SiC	SiC MOSFET	3300	30	0.12Ω	1.1	-40~175	IHM
MV-DIODE-1200-10	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1200	10	1.5V	0.3	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1200-20	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1200	20	1.4V	0.5	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1200-30	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1200	30	1.3V	0.7	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1200-50	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1200	50	1.2V	1.0	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1700-10	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1700	10	1.7V	0.4	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1700-20	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1700	20	1.6V	0.6	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1700-30	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1700	30	1.5V	0.8	-40~175	TO-247
MV-DIODE-1700-50	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	1700	50	1.4V	1.2	-40~175	TO-247
MV-DIODE-3300-10	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	3300	10	2.2V	0.8	-40~175	IHM
MV-DIODE-3300-20	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	3300	20	2.1V	1.2	-40~175	IHM
MV-DIODE-3300-30	Medium Voltage Diode	快恢复二极管	3300	30	2.0V	1.6	-40~175	IHM
MV-MODULE-1200-50	Medium Voltage Module	IGBT模块	1200	50	1.5V	2.0	-40~175	IPM
MV-MODULE-1200-75	Medium Voltage Module	IGBT模块	1200	75	1.4V	2.8	-40~175	IPM
MV-MODULE-1200-100	Medium Voltage Module	IGBT模块	1200	100	1.3V	3.5	-40~175	IPM
MV-MODULE-1700-50	Medium Voltage Module	IGBT模块	1700	50	1.7V	2.5	-40~175	IPM
MV-MODULE-1700-75	Medium Voltage Module	IGBT模块	1700	75	1.6V	3.2	-40~175	IPM
MV-MODULE-1700-100	Medium Voltage Module	IGBT模块	1700	100	1.5V	4.0	-40~175	IPM
MV-MODULE-3300-25	Medium Voltage Module	IGBT模块	3300	25	2.3V	3.0	-40~175	IHM
MV-MODULE-3300-50	Medium Voltage Module	IGBT模块	3300	50	2.2V	4.2	-40~175	IHM
MV-MODULE-3300-75	Medium Voltage Module	IGBT模块	3300	75	2.1V	5.5	-40~175	IHM

查尔斯

CHARLES

查尔斯品牌始于1995年，是一家专业的电子元器件代理商和线束制造商，一级代理包括KSS凯士士、Littelfuse力特、IXYS艾赛斯、C&K等国际知名品牌。总部位于上海市联航路1588号查尔斯大厦。查尔斯秉承“质量优异、客户至上、服务优质、价格合理”的经营理念和服务宗旨，致力于通过“选型+加工+物流”的综合能力，为全球客户优化供应链效率。

ISO9001/ISO14001/ISO45001/KSS华东代理/RoHS符合

产品矩阵/PRODUCTS

业务服务/SERVICES

UL认证定制线束加工

BOM物料寻源与代采

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