在电路设计温度范围内在 1.3 V 至 12.5 V 下工作
达林顿晶体管的 350 V 击穿电压
典型精度为 1.299 V ± 1%
4引脚 SOIC 封装
获得无铅且符合RoHS标准的认证
超小尺寸设计
低功耗
集电极电流要求低
高度防潮(MSL 1)